Reaction paths of phosphine dissociation on silicon (001)

- Warschkow, O., Curson, N. J., Schofield, S. R., Marks, N. A., Wilson, H. F., Radny, M. W., Smith, P. V., Reusch, T. C. G., McKenzie, D. R., Simmons, M. Y.

Single P and As dopants in the Si(001) surface

- Radny, M. W., Smith, P. V., Reusch, T. C. G., Warschkow, O., Marks, N. A., Shi, H. Q., McKenzie, D. R., Schofield, S. R., Curson, N. J., Simmons, M. Y.

Importance of charging in atomic resolution scanning tunneling microscopy: study of a single phosphorus atom in a Si(001) surface

- Radny, M. W., Smith, P. V., Reusch, T. C. G., Warschkow, O., Marks, N. A., Wilson, H. F., Curson, N. J., Schofield, S. R., McKenzie, D. R., Simmons, M. Y.

Scanning probe microscopy for silicon device fabrication

- Simmons, M. Y., Ruess, F. J., Reusch, T. C. G., Goh, K. E. J., Hallam, T., Schofield, S. R., Oberbeck, L., Curson, N. J., Hamilton, A. R., Butcher, M. J., Clark, R. G.